【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法，包括以下步骤：提供一基体，该基体具有一第一表面；提供一单壁碳纳米管薄膜结构，将该单壁碳纳米管薄膜结构设置于所述基体的第一表面，所述单壁碳纳米管薄膜结构包括多个单壁碳纳米管，该多个单壁碳纳米管之间具有间隙，且该多个单壁碳纳米管由金属性单壁碳纳米管和半导体性单壁碳纳米管组成；将一高分子材料层设置于所述单壁碳纳米管薄膜结构上，形成一复合结构，所述高分子材料层包覆单壁碳纳米管中的每一个金属性单壁碳纳米管和每一个半导体性单壁碳纳米管；将所述复合结构放置于一电磁波环境中，除去包覆金属性单壁碳纳米管的高分子材料层，从而使金属性单壁碳纳米管暴露；除去所述金属性单壁碳纳米管；以及除去包覆半导体性单壁碳纳米管的高分子材料层，得到半导体性单壁碳纳米管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李杰，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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