一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，属于氧化钒薄膜制备技术。包括①玻璃和覆盖氧化硅层的硅片表面清洗；②采用脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜：预抽真空度＜1×10-4Pa，氩氧气氛中氩气与氧气的流量比为100:2.5～3.5，在脉冲直流电源脉冲频率为100～350KHz、占空比为100%～55%、溅射功率为150～250W条件下，溅射15～30分钟溅射成膜。本发明专利技术的优点在于溅射过程中不需要对氧气流量精确控制，只需调节脉冲直流电源占空比就可以制备出高金属含量到高氧含量的氧化钒薄膜，工艺可控性好，且可重复性好。本方法制备的氧化钒薄膜可以作为目前非制冷红外热成像器件等应用要求的理想热敏感材料。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种脉冲反应磁控溅射制备氧化钒薄膜的方法，其特征在于包括以下过程：步骤1.衬底基片的表面清洗：基片竖立放置于专用的基片清洗架上用去离子水冲洗，再用丙酮进行超声波清洗，然后经去离子水冲洗，再用无水乙醇超声波清洗，最后再经去离子水冲洗，用高纯干燥氮气吹干备用；步骤2.制备氧化钒薄膜：将经步骤1清洗备用的衬底基片置于溅射腔室内的样品旋转台上，金属钒靶与衬底基片平行相对放置，溅射腔室内预抽真空度＜1×10?4Pa；以流量率为60～200sccm的氩气与流量率为2.0～7.0sccm的氧气充分混合后通入溅射腔室内至溅射工作气压0.5～1.5Pa，混合气体中氩气与氧气的流量比为100:2.5～3.5；在样品旋转台旋转工作、脉冲直流电源脉冲频率为100～350KHz、占空比为100%～55%、溅射功率为150～250W的条件下，溅射15～30分钟溅射成膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴志明，蒋亚东，董翔，王涛，顾德恩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：