一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料及其熔体法晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了一种Tm、Ho掺杂钒酸钪TmyHozSc1-y-zVO4发光材料（0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1）。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；TmyHozSc1-y-zVO4可用作发光显示材料、2μm激光工作物质等。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Tm、Ho掺杂ScVO4发光材料，其特征在于：该发光材料分子式可表示为?TmyHozSc1?y?zVO4?，所述的?y、z的取值范围为：0.0001≤y≤0.1，0.0001≤z≤0.1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林鸿良，陈俊，
申请(专利权)人：合肥晶桥光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：