介电陶瓷材料及其所制成的积层陶瓷电容制造技术

本发明专利技术提供一种介电陶瓷材料设计方式及其方式所制成的积层陶瓷电容器。利用复合材料的观点，以高居里温度介电材料添加低居里温度介电材料，形成复合相。两种材料相互补偿并稳定介电常数对温度的变化率，可达到大温度范围的介电特性稳定度。本发明专利技术以钛酸钡为低居里温度介电材料并为主要成分(钛酸钡居里温度约130℃)，添加居里温度200℃以上的介电材料。所述的添加物可以选自钽酸锂、铈酸钡、铌酸钠及其任意组合所组成的群组其中的一种，可得到新型介电材料，且其电容温度系数稳定。藉此，以此种方式所开发的介电陶瓷材料可符合电子工业协会的X9R规范(应用温度范围-55至200℃，电容温度系数ΔC/C≤±15％)，高温应用范围甚至可超越250℃。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种介电陶瓷材料，该介电陶瓷材料的组成以钛酸钡为主，并混合至少一添加物，其中，以该介电陶瓷材料的总摩尔数计，所述添加物的摩尔百分比为1至50％，且所述添加物选自钽酸锂、铈酸钡、铌酸钠及其任意组合所组成的群组其中的一种。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王锡福，赖元正，李建桦，陈明华，
申请(专利权)人：禾伸堂企业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：