具有源极/漏极缓冲区的应力沟道FET制造技术

一种用于形成具有源极/漏极缓冲区（501）的应力沟道场效应晶体管（FET）的方法包括：在位于所述衬底（201）上的栅极叠层（202/203）两侧在所述衬底中蚀刻腔（301）；在所述腔中沉积源极/漏极缓冲材料（401）；蚀刻所述源极/漏极缓冲材料以形成与所述FET的沟道区（502）相邻的垂直源极/漏极缓冲区；以及在所述腔中与所述垂直源极/漏极缓冲区相邻地以及在所述垂直源极/漏极缓冲区上方沉积源极/漏极应力源材料（601）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·B·约翰逊，R·穆拉丽达，P·J·欧尔迪吉斯，V·C·昂塔路斯，修凯，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：