一种铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法技术

一种铜铟镓硒太阳电池器件，为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其制备方法是：首先将聚酰亚胺胶涂于玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，然后依次在其表面依次制备各层薄膜，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池。本发明专利技术的优点是：该种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒薄膜结晶晶粒大；其制备方法是以钢性衬底制备柔性电池，易于实施，有利于大规模的推广应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铜铟镓硒太阳电池器件，其特征在于：为基于聚酰亚胺膜?苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，苏打玻璃的厚度为1.5?2mm，聚酰亚胺膜厚度为25?30μm；钼背接触层包括高阻层薄膜和低阻层薄膜，其中高阻层薄膜的厚度为80?120nm，低阻层薄膜的厚度为600?700nm；铜铟镓硒吸收层的化学分子式为CuIn1?xGaxSe2，式中x为0.25?0.35，导电类型为p型，薄膜厚度为1.5?2μm；硫化镉缓冲层的的导电类型为n型，厚度为45?50nm；透明窗口层包括高阻本征氧化锌薄膜和低阻氧化锌铝薄膜，导电类型为n型，本征氧化锌薄膜的厚度为50?100nm，氧化锌铝薄膜的厚度为0.4?0.6μm；铝上电极薄膜的厚度为0.8?1.5μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：薛玉明，张嘉伟，许楠，乔在祥，赵彦民，李微，尹富红，刘浩，冯少君，宋殿友，潘宏刚，李鹏海，刘君，朱亚东，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：