【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：沟道区域，从一表面延伸到半导体本体的漂移区中；介电结构，包括沿所述沟道区域的侧向侧的第一梯阶和第二梯阶；第一导电类型的辅助结构，在所述第一梯阶与第二梯阶之间；栅电极，在所述沟道区域中；第二导电类型的本体区域，所述第二导电类型不同于所述漂移区的所述第一导电类型；并且其中，所述辅助结构与所述漂移区、所述本体区域及所述介电结构中的每个邻接。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗茨·赫尔莱尔，马库斯·曾德尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：
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