一种TSV露头结构制造技术

一种TSV露头结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底内设有至少一个TSV导电柱，该TSV导电柱贯穿于衬底正面和衬底背面之间，并延伸出衬底背面上形成露头部分，所述衬底背面与TSV露头部分相连的区域设有坡形的缓冲区，该缓冲区具有连续的高度变化，其高度以邻近TSV露头部分的位置最高，并逐渐过渡到与衬底背面相同的高度。通过在TSV露头部分与半导体衬底表面之间设置一个缓冲结构，使TSV露头部分与半导体衬底表面之间呈现一个连续的高度变化，从而改变了原先TSV露头部分与半导体衬底表面的垂直关系，克服了PVD工艺时，种子层可能在此处产生的断层问题，提高了微凸点与TSV露头的连接可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种TSV露头结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底内设有至少一个TSV导电柱，该TSV导电柱贯穿于衬底正面和衬底背面之间，并延伸出衬底背面上形成露头部分，其特征在于：所述衬底背面与TSV露头部分相连的区域设有坡形的缓冲区，该缓冲区具有连续的高度变化，其高度以邻近TSV露头部分的位置最高，并逐渐过渡到与衬底背面相同的高度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张文奇，宋崇申，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：