【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种侧墙的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在硅片上淀积第一种材料，采用光刻和刻蚀工艺形成具有台阶结构的第一种材料图形；步骤二、在所述第一种材料图形之上淀积第二种材料，所述第二种材料在所述第一种材料图形的台阶结构的侧面处形成一倒切形状，所述第二种材料的倒切形状的顶部宽度大于等于底部宽度的1.1倍；步骤三、对所述第二种材料进行各向异性刻蚀，将位于所述第一种材料图形的顶部和底部的所述第二种材料完全去除、将位于所述第一种材料图形的台阶结构的侧面处的所述第二种材料部分保留并形成侧墙；所述侧墙的底部宽度为步骤二中所述第二种材料的倒切形状的底部宽度的0.9倍～1倍。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖胜安，程鑫华，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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