【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂微缩辅助膜，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄君，毛智彪，张瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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