基于DFB激光器的光学晶体电场传感器制造技术

本发明专利技术涉及传感器领域，具体涉及一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器，按照光线输出输入顺序依次包括DFB激光器（2），1/4λ玻片（3），Pockels晶体（4），检偏器（5），电探测器（6）和光电前置放大器（7）。本发明专利技术的作用是DFB激光器光功率高，极大降低成本和降低制作难度，偏振模式噪声会大幅度降低，无须光纤耦合，避免了由轻微抖动引起的功率噪声和偏振模式噪声，由于使用相对噪声强度极低的DFB激光器作为光源，因此可探测的电场强度灵敏度非常高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于DFB激光器的光学晶体电场传感器，其特征在于：按照光线输出输入顺序依次包括：?DFB激光器（2）：DFB激光器作为光源，其内装有自动功率控制和自动温度控制电路（1），具有两个方向相互垂直的偏振，并且两个偏振方向的偏振度差别在20dB以上；?1/4λ玻片（3）：1/4λ玻片的光轴方向与DFB激光器的光轴方向互成45°角；?Pockels晶体（4）：检测光的相位差反应出电场强度；?检偏器（5）：检偏器输出光线方向与DFB激光器发射光线方向相互垂直；?光电探测器（6）：将光信号转换成电信号；?光电前置放大器（7）：对电信号进行放大以获得适当幅度的电信号。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈洪波，白欢，张福州，方欣，段晓方，
申请(专利权)人：国家电网公司，四川电力科学研究院，
类型：发明
国别省市：