【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非制冷红外焦平面阵列的非均匀性校正方法，其特征在于，包括：步骤A：计算红外焦平面阵列在至少两个标定工作温度下的校正参数，并将所述校正参数存储在存储器中；步骤B：测量所述红外焦平面阵列的衬底温度；步骤C：根据所述衬底温度，从所述存储器中获取与所述衬底温度相对应的当前校正参数；步骤D：用所述红外焦平面阵列对目标物体进行红外成像，获取红外图像；步骤E：用所述当前校正参数对所述红外图像进行校正。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郑兴，李宵，马宣，章翔，刘子骥，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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