【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于GaN生长的复合衬底的制备方法，包括如下步骤：1a)在蓝宝石衬底上生长GaN单晶外延层；1b)将生长在蓝宝石衬底上的GaN外延片通过环氧类快干胶粘结到一临时衬底上，然后通过激光剥离方法将蓝宝石衬底剥离掉；1c)将粘结在临时衬底上的GaN外延片与一熔点超过1000℃的导热导电衬底键合在一起，环氧类快干胶在键合过程中碳化，临时衬底脱落，得到镓极性面朝上的GaN外延片与导热导电衬底键合在一起的复合衬底。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙永健，张国义，童玉珍，
申请(专利权)人：东莞市中镓半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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