【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非金属氧化硅为催化剂优先生长金属性单壁碳纳米管方法，其特征在于，通过对催化剂薄膜进行预处理，利用合适的生长条件直接选择性生长窄直径分布的金属性单壁碳纳米管，具体步骤如下：以Ar离子束物理沉积法，在带有纳米二氧化硅热氧化层的硅基底上沉积氧化硅膜；在化学气相沉积炉内对其进行加热方式、气氛和时间的预处理条件调节，获得非金属氧化硅催化剂纳米颗粒后，在900℃下进行化学气相沉积生长金属性单壁碳纳米管。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘畅，张莉莉，侯鹏翔，成会明，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：
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