【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法，其特征在于，反应溅射氧化铱修饰的微电极阵列的制备方法，包括利用微加工技术制备的微电极阵列、反应溅射的氧化铱，所述反应溅射的氧化铱的具体制备如下：（1）把需要氧化铱修饰的电极点区域的微电极阵列放入到溅射腔室，将溅射腔室抽真空；（2）通入氩气，输入功率使氩气电离、起辉；为使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力，氩气的流量范围为2?100立方厘米每分钟；所述氩气的压力范围为0.24?7.2帕斯卡，以使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力；（3）通入氧气，调节压力，打开挡板，开始反应溅射的过程；为使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力，氧气的流量范围为5?40立方厘米每分钟；所述氧气的压力范围为0.18?5.4帕斯卡，以使反应溅射的氧化铱获得最大的电荷存储能力；（4）关闭输入功率，结束反应溅射过程。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘景全，康晓洋，田鸿昌，杨斌，朱红英，杨春生，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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