半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种在使用浓硫酸的洗净处理中可对刻蚀阻挡层的侧蚀进行抑制的半色调掩模。所述半色调掩模具有透光部(TA)、半透光部(HA)和遮光部(PA)。遮光部(PA)包括基材(S)、半透光层11、设置在半透光层上且由Cr或Cr的化合物形成的遮光层(13)以及设置在半透光层(11)和遮光层(13)之间的刻蚀阻挡层(12)。刻蚀阻挡层(12)含有第一元素、第二元素。所述第一元素由选自Mo和W构成的组中的至少一种元素构成，且具有6.4mol％以上且38.2mol％以下的组成比。所述第二元素由选自Zr、Nb、Hf和Ta构成的组中的至少一种元素构成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村大介，影山景弘，
申请(专利权)人：爱发科成膜株式会社，
类型：
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