【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体晶圆级封装结构，包括硅基材（1），该硅基材具有两个相对的表面，该硅基材的其中一个表面上设有金属焊垫（3），其特征在于：在所述硅基材的另一个表面上对应所述金属焊垫位置处设有一漏斗型垂直深孔（4）连通所述金属焊垫，且该漏斗型垂直深孔靠近所述硅基材另一个表面的一段沿平行所述硅基材表面的截面的半径从靠近所述金属焊垫一侧到远离所述金属焊垫一侧逐渐变大，另在该漏斗型垂直深孔的侧壁以及硅基材的另一个表面上均覆盖一层绝缘材料（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：肖智轶，王晔晔，范俊，赖芳奇，黄小花，房玉亮，顾明磊，陆明，廖建亚，沈建树，
申请(专利权)人：昆山西钛微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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