一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种多晶硅太阳电池减反射膜，它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，二氧化硅膜厚度为8-12nm，折射率为2.1-2.3，第一层氮氧化硅膜厚度为15-25nm，折射率为1.9-2.0，第三层氮氧化硅膜厚度为30-50nm，折射率为1.7-1.9。该三层减反射膜能大幅度降低膜表面反射率，二氧化硅层具有高损伤阈值和优良的光学性能，氮氧化硅具有氮化硅和氧化硅的优良特性，因此，能够很好地提高光学转换效率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种多晶硅太阳电池减反射膜，其特征在于它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，所述的二氧化硅膜厚度为8?12nm，折射率为2.1?2.3，所述的第一层氮氧化硅膜厚度为15?25nm，折射率为1.9?2.0，所述的第三层氮氧化硅膜厚度为30?50nm，折射率为1.7?1.9。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖伟荣，
申请(专利权)人：吴江市德佐日用化学品有限公司，
类型：发明
国别省市：