具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法技术

本发明专利技术提出一种具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法，其中该阻变存储单元包括：下电极；形成在下电极之上的阻变层；形成在阻变层之上的中间金属层；形成在中间金属层之上的半导体材料层；以及形成在半导体材料层上的上电极，其中，中间金属层与半导体材料层形成肖特基势垒结构。本发明专利技术的具有肖特基势垒结构的阻变存储单元具有结构简单，限流效果好的优点，本发明专利技术的具有肖特基势垒结构的阻变存储单元及其形成方法具有简单易行，工艺兼容的优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有肖特基势垒结构的阻变存储单元，其特征在于，包括：下电极；形成在所述下电极之上的阻变层；形成在所述阻变层之上的中间金属层；形成在所述中间金属层之上的半导体材料层；以及形成在所述半导体材料层上的上电极，其中，所述中间金属层与所述半导体材料层形成肖特基势垒结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴华强，吴明昊，白越，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：