静电放电保护结构及半导体设备制造技术

技术编号:9144513 阅读:170 留言:0更新日期:2013-09-12 05:54
本发明专利技术提供一种静电放电保护结构,所述静电放电保护结构设置于静电敏感元件和外围电路之间,所述静电放电保护结构还与放电总线相连;其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线,所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路,所述静电放电导线与所述放电总线相连,所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离,所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。本发明专利技术所述静电放电保护结构具有结构简单、静电防护效果好、没有寄生电流、寄生电容小、噪声小等优点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种静电放电保护结构,设置于静电敏感元件和外围电路之间,所述静电放电保护结构还与放电总线相连;其中所述静电放电保护结构包括第一互连线、钝化层和至少一条静电放电导线,所述第一互连线电连接所述静电敏感元件和外围电路,所述静电放电导线与所述放电总线相连,所述静电放电导线与所述第一互连线通过所述钝化层隔离,所述静电放电导线和所述第一互连线之间具有至少一静电放电路径。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑礼朋
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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