【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种电子器件，包括：基板；所述基板上的电介质层；和位于所述基板和所述电介质层之间的电阻链接，所述电阻链接包含具有第一电阻区域和第二电阻区域的硅半导体层，所述第一电阻区域具有第一电阻率和第一形态，并且，所述第二电阻区域具有第二电阻率和不同的第二形态，其中，所述第一电阻区域具有第一同素异形状态，并且，所述第二电阻区域具有不同的第二同素异形状态。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：F·A·拜奥齐，J·T·卡古，J·M·德卢卡，B·J·杜特，C·马丁，
申请(专利权)人：艾格瑞系统有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。