【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种利用超深沟槽结构制造瞬变电压抑制二极管的方法，其包括：步骤A：在重掺杂P型硅衬底生长一层重掺杂N型外延层；步骤B：在重掺杂N型外延层生长一层的近本征轻掺N型外延层；步骤C：用光刻胶掩膜开出P型掺杂区域窗口，进行P型掺杂离子注入；步骤D：刻蚀一系列超深隔离沟槽，该超深隔离沟槽穿过两层N型外延层，进入P型衬底；步骤E：用二氧化硅膜填充步骤D中形成的超深隔离沟槽；步骤F：刻蚀一系列密排的超深TVS沟槽，该超深TVS沟槽穿过两层N型外延层，进入P型衬底；步骤G：用掺杂N型多晶硅薄膜填充该些超深TVS沟槽；步骤H：生长电介质夹层；步骤I：接点刻蚀；以及步骤J：金属布线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟东，吴昊，赵泊然，
申请(专利权)人：江苏应能微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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