在鳍形有源区上制备高K金属栅的方法技术

本发明专利技术提供了在鳍形有源区上制备高K金属栅的方法，包括：提供一个硅衬底；在硅衬底上沉积一层垫氧化硅层和氮化硅层，在硅衬底中形成鳍形有源区图案，填充氧化硅膜，平坦化氧化硅膜；去除氮化硅层；形成鳍形有源区；在硅衬底上依次沉积栅氧化硅膜和多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜将所述鳍形有源区遮盖住，平坦化所述多晶硅膜的顶部；形成多晶硅伪栅极；在多晶硅伪栅极中填充高K层间介电膜，研磨层间介电膜至多晶硅伪栅极顶部暴露；去除多晶硅伪栅极，在层间介电膜中形成伪栅极沟槽，在伪栅极沟槽中填充栅极金属，研磨栅极金属直至与层间介电质氧化硅平齐，从而形成高K金属栅。本方法适用于后栅集成法制备具有高K金属栅的鳍形场效应晶体管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在鳍形有源区上制备高K金属栅的方法，其特征在于，包括：步骤S01：提供一个硅衬底；步骤S02：在所述硅衬底上沉积一层垫氧化硅层和氮化硅层，经刻蚀，在所述硅衬底中形成鳍形有源区图案，并在所述鳍形有源区图案中填充氧化硅膜，平坦化所述氧化硅膜的顶部；步骤S03：去除所述氮化硅层；步骤S04：采用湿法刻蚀去除所述鳍形有源区图案中的部分氧化硅膜，保留一定深度的氧化硅膜，从而形成鳍形有源区；步骤S05：在所述硅衬底上依次沉积栅氧化硅膜和多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜将所述鳍形有源区遮盖住，平坦化所述多晶硅膜的顶部；步骤S06：经光刻和刻蚀，在所述多晶硅膜中形成伪栅极图案，从而形成多晶硅伪栅极；步骤S07：在所述多晶硅伪栅极中填充高K层间介电膜，研磨所述层间介电膜至所述多晶硅伪栅极顶部暴露；步骤S08：去除所述多晶硅伪栅极，在所述层间介电膜中形成伪栅极沟槽，在所述伪栅极沟槽中填充栅极金属，研磨所述栅极金属直至所述栅极金属顶部与所述层间介电质氧化硅平齐，从而形成所述高K金属栅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张明华，方精训，严钧华，丁弋，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：