【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种快速OTP存储数据的写入与读取电路，其特征在于，它包括：OTP单元数据输入输出端，写入电路，所述写入电路包括第一、二、三、四场效应管以及第一、二非门,所述第二场效应管的源极和栅极分别与第一场效应管的漏极和第一非门输出端连接，所述第一场效应管源极接电源电压，所述第一场效应管栅极分别与所述第四场效应管栅极、所述第二非门输出端连接，所述第二非门输入端为烧写时数据写入端,所述第三场效应管源极与所述第四场效应管漏极连接，所述第三场效应管栅极经第一非门输入端与写使能信号源连接,所述第四场效应管源极接地，所述第二场效应管漏极经第三场效应管漏极与OTP单元数据的输入输出端连接；读取电路，所述读取电路包括第五、六、七、八、九、十、十一、十二场效应管以及第三、四非门，所述第五场效应管源极接VDD，栅极经第七、第九场效应管栅极与读使能信号源连接，漏极与所述第六场效应管源极连接，所述第六场效应管漏极与第七、第八场效应管漏极及第十一场效应管栅极连接形成一节点，所述第七、第八、第九效应管源极均接地，所述第十一场效应管漏极与所述第十场效应管漏极、所述第十二场效应管漏极、所述第三非门输入端连接，所述第十场效应管源...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩红娟，江猛，严秀萍，曹春鹏，
申请(专利权)人：苏州华芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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