直径转变的直拉单晶硅生长方法技术

本发明专利技术公开了一种直径转变的直拉单晶硅生长方法；包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以及不同尺寸硅片的电阻率需求情况，设定需要转变的单晶直径大小以及一个开始直径转变的单晶等径长度L；B、进行正常的直拉单晶硅生产，包括熔料、稳温、引晶、放肩以及转肩步骤；C、根据步骤A设定的直径转变大小和直径转变长度，进行第一个等径生长步骤，当第一个等径生长步骤的单晶等径生长至指定长度L时，开始进行直径转变；D、单晶硅的直径转变为需要的直径后，再进行下一个等径生长步骤；E、单晶硅棒的长度达到生产要求后进行收尾过程。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
直径转变的直拉单晶硅生长方法；其特征是：包括如下步骤：A、根据晶棒从头至尾轴向电阻率分布情况以及不同尺寸硅片的电阻率需求情况，设定需要转变的单晶直径大小以及一个开始直径转变的单晶等径长度L；B、进行正常的直拉单晶硅生产，包括熔料、稳温、引晶、放肩以及转肩步骤；C、根据步骤A设定的直径转变大小和直径转变长度，进行第一个等径生长步骤，当第一个等径生长步骤的单晶等径生长至指定长度L时，开始进行直径转变；D、单晶硅的直径转变为需要的直径后，再进行下一个等径生长步骤；E、单晶硅棒的长度达到生产要求后进行收尾过程。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘金平，王伟棱，郑欢欣，邵晓安，应路路，郑春松，饶伟星，王飞尧，
申请(专利权)人：杭州海纳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：