铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜、制备方法及其应用技术

一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其化学表达式为MeAl2-xS4:xCe3+，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，其中0.01≤x≤0.08，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在540nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的电致发光器件及其制备方法。一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的化学通式为MeAl2-xS4:xCe3+，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me为Mg，Ca，Sr或Ba；该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据MeAl2-xS4:xCe3+各元素的化学计量比将(DPM)2Me，三甲基铝和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及通入硫化氢气体，进行化学气相沉积得到化学表达式为MeAl2-xS4:xCe3+的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，Me为Mg，Ca，Sr或Ba。。在优选的实施例中，(DPM)2Me，三甲基铝和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈的摩尔比为1∶(0.92～0.99)∶(0.01～0.08)。在优选的实施例中，所述氩气气流量为5～15sccm，所述硫化氢气流量为10～200sccm。在优选的实施例中，将所述衬底装入所述反应室后将所述衬底在600℃～800℃下热处理10分钟～30分钟。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的化学表达式为MeAl2-xS4:xCe3+，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的化学表达式为MeAl2-xS4:xCe3+，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba；及在所述发光层上形成阴极。在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤：将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据MeAl2-xS4:xCe3+各元素的化学计量比将(DPM)2Me，三甲基铝(TMAl)和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈(Ce(TMHD)4)通入反应室内，氩气气流量为5～15sccm；通入硫化氢气体，硫化氢气流量为10～200sccm；进行化学气相沉积薄膜在所述阳极上形成发光层。上述铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜(MeAl2-xS4:xCe3+)的电致发光光谱(EL)中，在540nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。【附图说明】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例1制备的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的XRD图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法作进一步阐明。一实施方式的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的化学表达式为MeAl2-xS4:xCe3+，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me为Mg，Ca，Sr或Ba。该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。优选的，x为0.05，厚度为150nm。上述铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S11、将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa。本实施方式中，衬底为铟锡氧化物玻璃(ITO)，可以理解，在其他实施例中，也可以为掺氟氧化锡玻璃(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)；衬底先后用甲苯、丙酮和乙醇超声清洗5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入反应室；优选的，反应室的真空度为4.0×10-3Pa。步骤S12、将衬底在700℃下热处理10分钟～30分钟。步骤S13、调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据MeAl2-xS4:xCe3+各元素的化学计量比将四甲基庚二酮酸盐{(DPM)2Me本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其特征在于，该铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的化学通式为MeAl2?xS4:xCe3+，其中MeAl2?xS4是基质，Ce元素是激活元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。

【技术特征摘要】
1.一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其特征在于，该铈掺杂硫代铝酸盐发
光薄膜的化学通式为MeAl2-xS4:xCe3+，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活
元素，0.01≤x≤0.08，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。
2.根据权利要求1所述的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其特征在于，所述
铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。
3.一种铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步
骤：
将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为
1.0×10-2Pa～1.0×10-3Pa；
调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，在氩气
气流的载体下，根据MeAl2-xS4:xCe3+各元素的化学计量比将(DPM)2Me，三甲
基铝和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及
通入硫化氢气体，进行化学气相沉积得到化学表达式为MeAl2-xS4:xCe3+的
铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜，其中MeAl2-xS4是基质，Ce元素是激活元素，
0.01≤x≤0.08，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。
4.根据权利要求3所述的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，其特征
在于，所述(DPM)2Me，三甲基铝和四(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铈的摩尔比
为1∶(0.92～0.99)∶(0.01～0.08)。
5.根据权利要求3所述的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，其特征
在于，所述氩气气流量为5～15sccm，所述硫化氢气流量为10～200sccm。
6.根据权利要求3所述的铈掺杂硫代铝酸盐发光薄膜的制备方法，其特征
在于，将所述衬底装入所述反应室后将所述衬底在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，黄辉，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，
类型：发明
国别省市：