噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置、电子设备制造方法及图纸

本发明专利技术涉及噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置、电子设备。如果将本发明专利技术的下述式（1）表示的噻二唑系化合物作为发光材料而使用，则能够构成得到近红外区域的发光的发光元件。[所述式（1）中，A各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺。]

【技术实现步骤摘要】
噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置、电子设备相关申请的记载本申请对2012年2月28日申请的日本专利申请第2012-041223号公报和日本专利申请第2012-041224号公报、以及2012年10月18日申请的日本专利申请第2012-230597号公报要求优先权，将其内容援引于此。
本专利技术涉及噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、发光装置、认证装置、电子设备。
技术介绍
有机电致发光元件（所谓的有机EL元件）是具有在阳极与阴极之间插入至少1层发光性有机层的结构的发光元件。对于这样的发光元件，通过在阴极和阳极之间施加电场，将电子从阴极侧注入到发光层内的同时空穴从阳极侧注入到发光层内，在发光层中由注入的电子和空穴而生成激子（Exciton），该激子（Exciton）消失时（电子与空穴再结合时），其能量的一部分成为荧光、磷光被释放。作为这样的发光元件，已知有在超过700nm的长波长区域发光的发光元件（例如，日本专利公开第2000-091073号公报、日本专利公开第2001-110570号公报）。对于上述专利文献1、2中记载的发光元件，通过将分子内作为官能团而使作为电子给体的胺和作为电子受体的腈基共存的材料用作发光层的掺杂剂，从而使发光波长长波长化。但是，无法实现在近红外区域发光的、高效率且长寿命的发光元件。另外，对于在近红外区域发光的、高效率且长寿命的发光元件，例如期待作为使用静脉、指纹等生物体信息来认证个人的生物体认证用的光源而实现。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而进行的，其目的在于提供在近红外区域发光的、高效率且长寿命的噻二唑系化合物、发光元件用化合物、发光元件、具有该发光元件的发光装置、认证装置和电子设备。为解决上述课题，本专利技术的噻二唑系化合物的特征在于由下述式（1）表示。［上述式（1）中，A各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基、或者三芳基胺。］在本专利技术的噻二唑系化合物中，优选上述式（1）表示的化合物是由下述式（2）～（4）中任一种表示的化合物。［上述式（2）～（4）中，R各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基。另外，相邻的2个R的碳彼此可以连结而形成环状。］本专利技术的发光元件用化合物的特征在于含有本专利技术的噻二唑系化合物而构成。另外，本专利技术的发光元件用化合物优选用作发光材料。该发光元件用化合物例如用作有机EL元件的发光材料时，可以在近红外区域发光。另外，还可以用作构成用于控制载流子（空穴、电子）向发光层流动的中间层的材料。本专利技术的发光元件的特征在于，具有阳极、阴极和发光层，上述发光层设置在上述阳极与上述阴极之间，通过在上述阳极与上述阴极之间通电而发光，上述发光层含有下述式（1）表示的化合物作为发光材料，并且含有下述式IRH-1表示的化合物作为主体材料而构成。［上述式（1）中，A各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺。］［上述式IRH-1中，n表示1～12的自然数，R表示取代基或官能团，各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基。］根据这样构成的发光元件，由于使用上述式（1）表示的化合物作为发光材料，所以能够得到700nm以上的波长区域（近红外区域）的发光。另外，由于使用并四苯系材料作为主体材料，所以能够将能量高效地从主体材料转移到发光材料。因此，能够使发光元件的发光效率优异。另外，并四苯系材料对电子和空穴的稳定性（耐性）优异，所以能够实现发光层的长寿命化以及发光元件的长寿命化。对于本专利技术的发光元件，优选上述式（1）表示的化合物是由下述式（2）～（4）中任一种表示的化合物，并从下述式（2）～（4）中选择至少1种作为上述发光材料。优选［上述式（2）～（4）中，R各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基。另外，相邻的2个R的碳彼此可以连结而形成环状。］。由此，能够防止产生主体材料与发光材料的不恰当的相互作用。因此，能够提高发光元件的发光效率。另外，能够提高主体材料对电位和空穴的耐性。因此，能够实现发光元件的长寿命化。对于本专利技术的发光元件，优选作为上述主体材料的上述式IRH-1表示的化合物为下述式IRH-2或下述式IRH-3表示的化合物，并从下述式IRH-2、下述式IRH-3中选择至少1种作为上述主体材料。［上述式IRH-2中的R1～R4和上述式IRH-3中的R1、R2各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基。另外，R1～R4可以相互相同也可以不同。］由此，能够抑制连续驱动时的电压上升，且能够进一步提高发光元件的发光效率，并且能够实现发光元件的长寿命化。本专利技术的发光元件，优选具有电子输送层，该电子输送层与上述发光层相接地设置在上述阴极与上述发光层之间且具有电子输送性，上述电子输送层含有分子内具有氮杂吲哚嗪骨架（アザンドリジン）和蒽骨架的化合物作为电子输送性材料而构成。由于使用分子内具有氮杂吲哚嗪骨架和蒽骨架的化合物作为与发光层邻接的电子输送层的电子输送性材料，所以能够将电子高效地从电子输送层输送到发光层。因此，能够使发光元件的发光效率优异。另外，由于能够高效地进行从电子输送层向发光层的电子输送，所以能够使发光元件的驱动电压低电压化，与此相伴，能够实现发光元件的长寿命化。并且，分子内具有氮杂吲哚嗪骨架和蒽骨架的化合物对电子和空穴的稳定性（耐性）优异，所以从该方面考虑，也能够实现发光元件的长寿命化。此外，氮杂吲哚嗪系化合物优选1分子内含有的氮杂吲哚嗪骨架和蒽骨架的数量分别为1个或2个。由此，能够使电子输送层的电子输送性和电子注入性优异。本专利技术的发光元件的特征在于，具有阳极、阴极和发光层，上述发光层设置在上述阳极与上述阴极之间，通过在上述阳极与上述阴极之间通电而发光，上述发光层含有下述式（1）表示的化合物作为发光材料，并且含有下述式IRH-4表示的化合物作为主体材料而构成。［上述式（1）中，A各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基、三芳基胺。］［上述式IRH-4中，n表示1～10的自然数，R表示取代基或官能团，各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基。］根据这样构成的发光元件，由于使用上述式（1）表示的化合物作为发光材料，所以能够在700nm以上的波长区域（近红外区域）发光。另外，由于使用蒽系材料作为主体材料，所以能够将能量高效地从主体材料转移到发光材料。因此，能够使发光元件的发光效率优异。另外，由于蒽系材料对电子和空穴的稳定性（耐性）优异，所以能够实现发光层的长寿命化以及发光元件的长寿命化。对于本专利技术的发光元件，优选上述式（1）表示的化合物是由下述式（2）～（4）中任一种表示的化合物，从下述式（2）～（4）中选择至少1种作为上述发光材料。［上述式（2）～（4）中，R各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基。另外，相邻的2个R的碳彼此可以连结而形成环状。］由此，能够实现发光元件的高效率化和长寿命化。对于本专利技术的发光元件，优选作为上述主体材料的上述式IRH-4表示的化合物为下述式IRH-5、下述式IRH-7、下述式IRH-8表示的化合物，且从下述式IRH-5、下述式IRH-7、下述式IRH-8中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种噻二唑系化合物，其特征在于，由下述式（1）表示，所述式（1）中，A各自独立地表示氢原子、烷基、不具有或具有取代基的芳基、芳氨基、或三芳基胺。FDA00002860881800011.jpg

【技术特征摘要】
2012.02.28 JP 2012-041223;2012.02.28 JP 2012-04121.一种发光元件，其特征在于，具有阳极、阴极、发光层、电子输送层和空穴输送层，所述发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极和所述阴极之间通电而发光，所述电子输送层与所述发光层相接地设置在所述阴极与所述发光层之间且具有电子输送性，所述电子输送层具备第1电子输送层和第2电子输送层，所述第1电子输送层含有氮杂吲哚嗪系化合物作为第1电子输送性材料而构成，所述第2电子输送层设置在所述第1电子输送层与所述发光层之间并与这两层相接，并且含有与所述第1电子输送性材料不同的第2电子输送性材料而构成，所述空穴输送层与所述发光层相接地设置在所述阳极与所述发光层之间且具有空穴输送性，所述发光层含有下述式(2)～(4)中任一种表示的化合物作为发光材料，并且含有下述式H1-1～H1-11表示的化合物中的至少一种作为主体材料而构成，所述氮杂吲哚嗪系化合物是下述式ELT-A1～ELT-A24表示的化合物或下述式ELT-B1～式ELT-B12表示的化合物或下述ELT-C1～ELT-C20表示的化合物，所述第2电子输送性材料含有三(8-羟基喹啉)铝或下述式H1-1～H1-11表示的化合物中的至少一种或下述式H2-1～H2-56表示的化合物中的至少一种而构成，所述式(2)～(4)中，R各自独立地表示氢原子、甲基，2.一种发光元件，其特征在于，具有阳极、阴极、发光层、电子输送层和空穴输送层，所述发光层设置在所述阳极与所述阴极之间，通过在所述阳极和所述阴极之间通电而发光，所述电子输送层与所述发光层相接地设置在所述阴极与所述发光层之间且具有电子输送性，所述电子输送层具备第1电子输送层和第2电子输送层，所述第1电子输送层含有氮杂吲哚嗪系化合物作为第1电子输送性材料而构成，所述第2电子输送层设置在所述第1电子输送层与所述发光层之间并与这两层相接，并且含有与所述第1电子输送性材料不同的第2电子输送性材料而构成，所述空穴输送层与所述发光层相接地设置在所述阳极与所述发光层之间且具有空穴输送性，所述发光层含有作为发光材料的下述式(2)～(4)中任一种表示的化合物并且含有作为主体材料的下述式H2-1～H2-56表示的化合物中的至少一种而构成，所述氮杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本英利，藤田彻司，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：