一种起爆序列用V型结构MEMS执行器制造技术

技术编号:9136534 阅读:258 留言:0更新日期:2013-09-11 23:48
一种起爆序列用V型结构MEMS执行器,包括单晶硅衬底,将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合,金属电极层沉积在单晶硅结构层上,MEMS执行器在单晶硅结构层中制作,MEMS执行器包括锚点,成阵列结构的V型梁热电驱动单元的两端与锚点连接,中间臂位于V型梁热电驱动单元的中间并相互固定,柔性梁的两端分别与中间臂和杠杆的首端相连接,隔板制作在杠杆的末端,将加速膛孔挡住,本发明专利技术利用了硅材料的热电效应与热膨胀效应,具有低成本、高智能、易集成的特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种起爆序列用V型结构MEMS执行器,包括单晶硅衬底(1),其特征在于:单晶硅衬底(1)上制作有直径为150~180um的加速膛孔(5),二氧化硅绝缘层(2)在单晶硅衬底(1)上生长,生长厚度为2~3um,将单晶硅结构层(3)与生长了二氧化硅绝缘层(2)的单晶硅衬底(1)键合,单晶硅结构层(3)的厚度为50~100um,金属电极层(4)沉积在单晶硅结构层(3)的锚点(3?2)上;MEMS执行器在单晶硅结构层(3)中制作,MEMS执行器包括锚点(3?2),成阵列结构的V型梁热电驱动单元(3?3)的两端与锚点(3?2)连接,中间臂(3?4)位于V型梁热电驱动单元(3?3)的中间并相互固定,柔性梁(3?5)的两端分别与中间臂(3?4)和杠杆(3?1)的首端相连接,隔板(3?6)制作在杠杆(3?1)的末端,隔板(3?6)将加速膛孔(5)挡住;所述的MEMS执行器是除去与锚点(3?2)键合的部分,其余的二氧化硅绝缘层(2)将被腐蚀掉,使杠杆(3?1)、V型梁热电执行器(3?3)、中间臂(3?4)、柔性梁(3?5)以及隔板(3?6)悬空,形成最终的可动结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵玉龙胡腾江李波白颖伟
申请(专利权)人:西安交通大学
类型:发明
国别省市:

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