一种硅基薄膜太阳能电池的导电窗口制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅基薄膜太阳能电池的导电窗口，包括玻璃衬底（1）、沉积于玻璃衬底（1）上的TCO薄膜层（2）和P、I、N电池层，其特征为在TCO薄膜层（2）和P、I、N电池层的P层窗口层之间设有P+层导电薄膜。本实用新型专利技术能最大程度的减少p型窗口层对高透光性TCO薄膜衬底透光性的影响，改善了P型窗口层与高透光性TCO薄膜衬底的匹配，增加了进入本征吸收层的光子，从而提高了太阳能电池的转换效率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅基薄膜太阳能电池的导电窗口，包括玻璃衬底（1）、沉积于玻璃衬底（1）上的TCO薄膜层（2）和P、I、N电池层，其特征为在TCO薄膜层（2）和P、I、N电池层的P层窗口层之间设有P+层导电薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李文艳，李昌龄，张志红，
申请(专利权)人：通用光伏能源烟台有限公司，
类型：实用新型
国别省市：