基于单片机微控制器的超高频RFID标签制造技术

技术编号:9129345 阅读:176 留言:0更新日期:2013-09-05 23:55
本实用新型专利技术公开了一种基于单片机微控制器的超高频RFID标签,包括稳压电路、上电复位电路、偏置电路、微处理器、EEPROM存储器和检波电路,所述检波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、封装电路的等效串联电阻、负载电阻、电感和偏置电阻,所述封装电路的等效串联电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述负载电阻的第一端和所述第一二级管的正极连接后接地,所述电感的第一端与所述封装电路的等效串联电阻的第二端连接,本实用新型专利技术成本较低,易于开发,具有识别距离远、通信速度快、尺寸小等特点,具有推广的价值。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于单片机微控制器的超高频RFID标签,包括稳压电路、上电复位电路和偏置电路,其特征在于:还包括微处理器、EEPROM存储器和检波电路,所述检波电路包括第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、封装电路的等效串联电阻、负载电阻、电感和偏置电阻,所述封装电路的等效串联电阻的第一端、所述第一电容的第一端、所述第三电容的第一端、所述负载电阻的第一端和所述第一二级管的正极连接后接地,所述电感的第一端与所述封装电路的等效串联电阻的第二端连接,所述电感的第二端分别与所述第一电容的第二端和所述第二电容的第一端连接,所述第二二极管的正极分别与所述第一二极管的负极和所述第二电容的第二端连接,所述第二二极管的负极、所述第三电容的第二端、所述负载电阻的第二端和所述偏置电阻的第一端连接,所述偏置电阻的第二端与电源的正极连接,所述电源的负极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:唐皓
申请(专利权)人:成都摩宝网络科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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