光控太赫兹波开关制造技术

技术编号:9128907 阅读:181 留言:0更新日期:2013-09-05 23:44
本实用新型专利技术公开了一种光控太赫兹波开关,包括半导体基片、空气层和缺陷层,半导体基片的数量为2n个,n为整数且n≥2;所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片,且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述空气层;所述缺陷层由空气构成。本实用新型专利技术通过控制照射到与缺陷层最相邻的其中一个半导体基片的朝向缺陷层的表面上的激光的有无,可以实现太赫兹波开关的关闭和打开操作。本实用新型专利技术可在较低的控制用激光光功率下实现较高的开关消光比,可满足在太赫兹波成像、太赫兹波光谱测试和太赫兹波通信等领域应用的要求,也可作为太赫兹波调制器使用。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光控太赫兹波开关,其特征在于:包括半导体基片、空气层和缺陷层,半导体基片的数量为2n个,n为整数且n≥2;所述缺陷层的两侧置有相同数量的所述半导体基片,且位于所述缺陷层的同一侧的相邻半导体基片之间通过支撑环分隔而形成所述空气层;所述缺陷层由空气构成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪治陈涛刘建军刘平安
申请(专利权)人:中国计量学院
类型:实用新型
国别省市:

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