本实用新型专利技术属于过程控制先进控制领域，具体涉及一种晶体培养过程中的连续过滤自动控制装置，适用于快速生长大尺寸KDP和DKDP晶体的培养。该装置包括过滤装置和自动控制装置，过滤装置由过滤槽、热水浴、热水浴接收槽、冷水浴、冷水浴接收槽、蛇形管、输送泵、过滤器、计量泵和5个测温传感器组成，控制装置由PLC和触摸屏组成。连续过滤自动控制装置在快速生长大尺寸晶体的培养过程中对从育晶槽里流出的带有颗粒杂质的生长溶液，先加热溶解杂晶；再经过滤器滤除无关杂质；最后通过降温使回流到育晶槽里的溶液温度恢复到与育晶槽里的溶液温度一致，从而完成连续过滤循环。本实用新型专利技术装置提高了大尺寸晶体的生长速度和质量。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体培养过程中的连续过滤自动控制装置，其特征在于，连续过滤自动控制装置由过滤装置和控制装置组成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘丰，王凯，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：实用新型
国别省市：
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