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等离子体增强原子层沉积设备制造技术

技术编号:9124494 阅读:233 留言:0更新日期:2013-09-05 20:53
本实用新型专利技术公开了一种等离子体增强原子层沉积设备,包括:相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体,其中:所述等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口以及使来自所述等离子体产生气体进气口的等离子体产生气体产生等离子体的等离子发生装置;所述等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口,来自所述反应物进气口的反应物与产生的等离子体在所述扩散腔体的内部均匀混合;所述反应腔体的内部设置有用于放置与所述反应物发生反应的待沉积样品的样品台;所述抽气腔体依次连接有尾气吸附装置以及抽气系统。该设备实现了高质量原子层薄膜的沉积。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种等离子体增强原子层沉积设备,其特征在于,该设备包括:相互贯通的等离子体产生腔体、扩散腔体、反应腔体以及抽气腔体,其中:所述等离子体产生腔体具有等离子体产生气体进气口以及使来自所述等离子体产生气体进气口的等离子体产生气体产生等离子体的等离子发生装置;所述等离子体产生腔体和所述扩散腔体之间设置有反应物进气口,来自所述反应物进气口的反应物与产生的等离子体在所述扩散腔体的内部均匀混合;所述反应腔体的内部设置有用于放置与所述反应物发生反应的待沉积样品的样品台;所述抽气腔体依次连接有尾气吸附装置以及抽气系统。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王东君
申请(专利权)人:王东君
类型:实用新型
国别省市:

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