半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

技术编号：9116945 阅读：173 留言：0更新日期：2013-09-05 06:14

本发明专利技术对于n型III族氮化物半导体获得良好的欧姆结合。在图1（b）中，在剥离层（21）上，依次成膜n型GaN层（11）、p型GaN层（13）、即进行生长工序。如图1（c）所示，在p型GaN层（13）的表面上面形成p侧电极（14）。如图1（d）所示，经由金属帽（31）在整个上面形成铜块（32）。之后，通过化学性处理去除剥离层（21），即进行剥离工序。接下来，对这个面上暴露出的n型GaN层（11）和p型GaN层（12）的层积构造进行了异方性湿式蚀刻，即进行表面蚀刻工序。如图1（f）所示，上述蚀刻后的N极性面其表面形状由{10-1-1}面群所构成的凹凸构成。其次，如图1（g）所示，在此状态的n型GaN层（11）的下面，形成n侧电极（电极）（12），即进行电极形成工序。