一种YBCO超导复合薄膜的制备方法技术

一种YBa2Cu3O7-x超导复合薄膜的制备方法，首先配制前驱液，把乙酸钐Sm(CH3COO)3、乙酸钇Y(CH3COO)3、乙酸钡Ba(CH3COO)2和乙酸铜Cu(CH3COO)2按照Sm:Y：Ba：Cu=0.05～0.1:1：2：3的摩尔比混合溶于10-30mol℅三氟乙酸的水溶液中；搅拌均匀后真空蒸干溶剂得到凝胶；再加入甲醇搅拌均匀后蒸干溶剂得到凝胶；随后加入适量甲醇和松油醇，制成Sm、Y、Ba和Cu四种金属离子总浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，制备成前驱液；然后将前驱液涂覆在基片上；涂覆好的薄膜先经历300℃-500℃的低温热处理过程，分解三氟乙酸盐；最后经历800℃-900℃高温热处理和450℃-550℃的退火过程形成含有纳米氧化钐的YBa2Cu3O7-x（YBCO）超导复合膜。本发明专利技术制备的YBCO薄膜的临界电流密度到达6MA/cm2（77K,0T）。

【技术实现步骤摘要】
一种YBCO超导复合薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种第二代高温超导带材超导层的制备方法，特别涉及一种YBCO超导复合薄膜的制备方法。
技术介绍
第二代高温超导带材是指以YBCO-123系超导材料为主的稀土类钡铜氧化物超导涂层导体。它由金属合金基带、种子层、阻挡层、帽子层、稀土钡铜氧超导层、保护层以及稳定层等构成，是一种多层结构。与第一代Bi系高温超导带材相比，第二代高温超导带材在高磁场下有负载高电流的能力，可以在较高的温度和磁场下应用，是各国在高温超导领域竞相研究开发的焦点。YBCO作为涂层导体能够在强电领域应用，主要是由于它具有能够负载电流且不损耗的特性。对同一根带材来说，增加它的临界电流密度（Jc）也就提高了它的载流能力。因此提高YBCO超导膜的临界电流密度是近几年来的研究热点。美国洛斯阿拉莫斯国家实验室和剑桥大学的J.L.MacManus-Driscoll等人则在YBCO陶瓷靶中直接掺入氧化锆和过量的钡粉末，采用PLD法按照制备YBCO薄膜的工艺条件得到了含有尺寸为10nm的BaZrO3（BZO）颗粒的复合薄膜。其临界电流密度在整个外加磁场都高于纯YBCO薄膜的临界电流密度，尤其是在外加磁场为7T时，它的临界电流密度是纯YBCO薄膜的五倍。西班牙巴塞罗那大学2007年在Naturematerials上报道了采用三氟乙酸盐-金属有机沉积法（TFA-MOD法）制备了含有纳米BaZrO3的YBCO薄膜。其临界电流密度不但比TFA-MOD法制备的纯YBCO薄膜有了很大提高，而且其钉扎力在77K、外加磁场2T的条件下达到最大值为21GNm-3，比PLD法制备的BZO/YBCO纳米复合薄膜提高了175%，比在4.2K的NiTb合金的性能提高了60%。目前国内关于YBCO超导膜的专利绝大多数是YBCO薄膜的制备方法，只有中国专利CN101320604A提出了在YBCO超导膜中添加SrZrO3提高其临界电流密度的作用。该专利通过在前驱液中添加醋酸锶和乙酰丙酮锆获得了掺杂SrZrO3的YBCO薄膜，但掺杂SrZrO3的YBCO薄膜临界电流密度相比与纯YBCO膜提高不大。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有所制备的YBCO超导薄膜载流能力较弱的缺点，提出一种制备具有高载流能力的YBCO复合薄膜的方法。本专利技术通过采用三氟乙酸盐-金属有机沉积法制备含有纳米氧化钐的YBCO薄膜，本专利技术在含有三氟乙酸钐、三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇，通过控制金属离子的浓度，在经过低温热分解和高温烧结后，制备了含有纳米氧化钐的YBCO超导薄膜，利用纳米氧化钐提高YBCO薄膜的磁通钉扎作用。本专利技术的具体步骤顺序如下：（1）按照Sm：Y：Ba：Cu=0.05～0.1：1：2：3的摩尔比把Sm(CH3COO)3、Y(CH3COO)3、Ba(CH3COO)2和Cu(CH3COO)2四种粉末混合，于室温下溶于含有10-30mol%的三氟乙酸的去离子水中，配成溶液，所述的溶液中溶质与溶剂的摩尔比为1：100；（2）将步骤（1）配制的所述的溶液经磁力搅拌器搅拌1-3h，然后采用旋转蒸发仪蒸除溶剂得到凝胶；（3）将所述步骤（2）制得的凝胶加入甲醇中，此步骤中的凝胶与甲醇的摩尔比为1：50；经磁力搅拌器搅拌0.5-1.5h后，再采用旋转蒸发仪蒸除溶剂，以进一步去除水分等杂质，得到纯净的凝胶；（4）将所述步骤（3）制得的凝胶加入到甲醇和松油醇中，制成Sm、Y、Ba和Cu四种金属总离子浓度为1.5-3.0mol/L的溶液，所述的甲醇和松油醇的体积比是1：1，将含有所述Y、Ba和Cu的溶液搅拌均匀，制备成前驱液；（5）将所述步骤（4）制成的前驱液采用旋涂或提拉方法涂覆在基片上；（6）将经步骤（5）涂覆后的基片置于高温管式石英炉中，在300℃-500℃温度下进行10h的低温热处理，分解三氟乙酸盐；该步骤的升温速率为40℃/h；（7）将经过所述步骤（6）处理的基片置于800℃～-900℃的高温下热处理2-4h，生成含有纳米氧化钐的四方相YBCO膜；此步骤的升温速度为400℃/h；（8）将经过步骤（7）处理的基片置于450℃-550℃及纯氧条件下对薄膜进行退火热处理0.5-1.5h，制备成含有纳米氧化钐的YBCO超导薄膜。步骤（5）中所述基片为铝酸镧、钛酸锶或氧化镁单晶基片。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加乙酸钐和松油醇。通过控制金属离子的浓度，在经过低温热分解和高温烧结后，制备了含有纳米氧化钐的YBCO超导薄膜。这些具有纳米尺寸的氧化钐很好的起到了磁通钉扎的作用，采用该方法制备的YBCO薄膜临界电流密度无论是在零场还是在高场都有提高，在零场下临界电流密度达到6MA/cm2，大大提高了YBCO薄膜的载流能力，降低了涂层导体的生产成本，拓宽了YBCO涂层导体的应用范围。附图说明图1实施例1制备的YBCO膜的场发射扫描电子显微镜图片；图2实施例1制备的YBCO膜的X射线衍射图片；图3实施例2制备的YBCO膜的场发射扫描电子显微镜图片；图4.实施例2制备的YBCO膜的X射线衍射图片；图5实施例2制备的YBCO膜的临界电流密度图片；图6实施例3制备的YBCO膜的场发射扫描电子显微镜图片；图7实施例4制备的YBCO膜的场发射扫描电子显微镜图片。具体实施方式实施例1（1）称取乙酸钐、乙酸钇、乙酸钡和乙酸铜分别为0.00025mol、0.005mol、0.01mol和0.015mol，将乙酸钐、乙酸钇、乙酸钡和乙酸铜混合后溶于含10mol%的三氟乙酸的54.45ml去离子水中配成溶液；（2）将步骤(1)制得的溶液经磁力搅拌器搅拌1h后，再采用旋转蒸发仪蒸除溶剂得到凝胶；（3）将1.55mol的甲醇加入所述步骤（2）制得的凝胶中，再经磁力搅拌器搅拌0.5h后再采用旋转蒸发仪蒸除溶剂以进一步去除水分等杂质而得到非常纯净的凝胶；（4）将步骤（3）制得的凝胶加入到10.05ml甲醇和10.05ml松油醇的混合液中，所述的甲醇和松油醇的体积比是1：1，制成Sm、Y、Ba和Cu四种金属总离子浓度为1.5mol/L的溶液。将所得的含有Sm、Y、Ba和Cu的甲醇和松油醇溶液搅拌均匀，制备成前驱液；（5）将步骤（4）制得的前驱液以1500转/分的速度旋涂在钛酸锶单晶基片上，旋涂时间为90s。（6）涂敷好的步骤（5）涂覆好的基片放在石英舟里送入高温管式石英炉里进行低温热处理和高温热处理，最后得到含有纳米氧化钐的YBCO高温超导膜。低温热处理是湿润的氧气条件下进行，是将500sccm的氧气经过装有蒸馏水的玻璃瓶把水蒸气带入反应室，使反应室中水蒸气压力为100hPa，从室温平均以40℃/h的升温速率升温至300℃，然后再炉冷却至室温。低温热处理的目的是分解三氟乙酸盐，形成无定型的前驱膜并排出有害的残余物质。整个分解时间约为10h。高温热处理是在湿润的氧气和氩气混合气氛下进行，把500sccm含有500ppm氧气的氩气混合气体经过装有蒸馏水的玻璃瓶把水蒸气带入反应室，使反应室中水蒸气压力为160hPa,先是以400℃/h的升温速率升至最高温800℃，在800℃保温2h后直接通入含有500pp本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种YBCO超导复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：在含有三氟乙酸钐、三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加甲醇和松油醇；通过控制金属离子的浓度，经低温热分解和高温烧结，制备含有纳米氧化钐的YBCO超导薄膜，利用纳米氧化钐提高YBCO薄膜的磁通钉扎作用。

【技术特征摘要】
1.一种YBCO超导复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法为：在含有三氟乙酸钐、三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加甲醇和松油醇；通过控制金属离子的浓度，经低温热分解和高温烧结，制备含有纳米氧化钐的YBCO超导薄膜，利用纳米氧化钐提高YBCO薄膜的磁通钉扎作用。2.按照权利要求1所述的YBCO超导复合薄膜的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：(1)按照Sm:Y：Ba：Cu＝0.05～0.1:1：2：3的摩尔比把Sm(CH3COO)3、Y(CH3COO)3、Ba(CH3COO)2和Cu(CH3COO)2混合，于室温下溶于含有10-30mol％的三氟乙酸的去离子水中，配成三氟乙酸盐的溶液，所述三氟乙酸盐溶液中溶质与溶剂的摩尔比为1：100；(2)将步骤(1)配制的三氟乙酸盐溶液经磁力搅拌器搅拌1-3h，再采用旋转蒸发仪蒸除溶剂得到凝胶；(3)将所述步骤(2)制得的凝胶加入甲醇中，此步骤中的凝胶与甲醇的摩尔比为1：50，经磁力搅拌器搅拌0.5-1.5h后，再采用旋转蒸发仪蒸...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁发柱，古宏伟，张腾，王洪艳，屈飞，彭星煜，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，
类型：发明
国别省市：