【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种实现选择性发射极的方法，其中，包括以下步骤：a）对硅片整面进行第一次离子注入；b）在所述硅片上方设置具有镂空图案的挡板，透过所述挡板对所述硅片进行第二次离子注入。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：单伟，韩玮智，牛新伟，蒋前哨，金建波，陆川，仇展炜，
申请(专利权)人：浙江正泰太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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