【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成闪存装置的方法,所述方法包含:(a)在基板上形成二氧化硅(silicon?dioxide)层;(b)在所述二氧化硅层上形成氮化硅层;(c)在(b)期间,将所述氮化硅层暴露于具有波长约150nm至约1200nm的紫外辐射;(d)在(c)期间,将介电材料直接沉积于所述氮化硅层上;及(e)将导电栅极沉积于所述介电材料上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·巴尔塞努,V·佐泊考伏,夏立群,A·诺利,R·阿尔加瓦尼,D·R·威蒂,A·奥巴亚缇,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:
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