一种制备横向石墨烯PN结的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备横向石墨烯PN结的方法，属于半导体器件及薄膜晶体生长领域领域。该发明专利技术首先在SiC衬底上制备n型掺杂的石墨烯，然后对石墨烯进行选择处理，包括掩膜或图形化处理或预沉积适量的p型掺杂元素，最后在氢气气氛或真空下进行退火，控制退火时间与温度，得到横向石墨烯PN结。该方法是通过对SiC衬底与石墨烯的界面控制，实现石墨烯掺杂类型、掺杂浓度的控制；与化学掺杂或静电调制等手段实现石墨烯PN结相比，该方法避免了化学掺杂带来的污染和晶格破坏，同时石墨烯PN结尺寸可控，且制备工艺简单。该方法为研究石墨烯PN结的新奇特性和实现各种石墨烯功能器件奠定了基础。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备横向石墨烯PN结的方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在SiC衬底上制备一层以上石墨烯，石墨烯的掺杂类型为n型掺杂，；第二步，对石墨烯进行选择性处理，处理方式为以下三种中的一种：1）利用掩膜工艺在需要保持n型掺杂的石墨烯区域上沉积掩膜层；2）对需要保持n型掺杂的石墨烯区域进行图形化处理；3）在需要获得p型掺杂的石墨烯区域预沉积适量的p型掺杂的元素；?第三步，进行退火操作，控制退火时间与温度，得到横向石墨烯PN结；当上述第二步采用处理方式1）和2）时，退火在氢气气氛进行；采用处理方式3）时，退火在真空下进行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔚翠，冯志红，李佳，刘庆彬，何泽召，王俊龙，宋旭波，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：