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用于室温的氨敏传感器元件的制备方法技术

技术编号:9112476 阅读:150 留言:0更新日期:2013-09-05 01:40
本发明专利技术公开了一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法,采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅,再将其置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室,采用金属铂作为靶材,以氩气作为工作气体,在多孔硅表面沉积铂电极,制成氨敏传感器元件。本发明专利技术的多孔硅氨敏传感器元件具有高灵敏度、高选择性、快速响应/恢复特性,且重复性强、稳定性好,对于本技术领域具有重要的实践和研究价值。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法,具有如下步骤:(1)清洗硅基片衬底:将电阻率为0.01~0.02Ω·cm的n型单晶硅基片单面抛光,其厚度为400~500μm,依次放入丙酮溶剂、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20分钟,除去表面油污及有机物杂质;随后放入质量分数为5%的氢氟酸水溶液中浸泡15分钟,除去表面的氧化层;再用去离子水冲洗净备用;(2)制备硅基多孔硅:采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅抛光表面制备多孔硅,所用电解液由氢氟酸和去离子水组成,其体积比为1:5,施加的腐蚀电流密度为95~135mA/cm2,腐蚀时间为20~25min;(3)制备多孔硅氨敏传感器元件:将步骤(2)中制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室。采用金属铂作为靶材,以氩气作为工作气体,气体流量为20~25sccm,溅射工作压强为2~3Pa,溅射功率80~100W,溅射时间8~15min,在多孔硅表面沉积铂电极,制成氨敏传感器元件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡明李明达曾鹏马双云闫文君
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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