【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法,具有如下步骤:(1)清洗硅基片衬底:将电阻率为0.01~0.02Ω·cm的n型单晶硅基片单面抛光,其厚度为400~500μm,依次放入丙酮溶剂、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20分钟,除去表面油污及有机物杂质;随后放入质量分数为5%的氢氟酸水溶液中浸泡15分钟,除去表面的氧化层;再用去离子水冲洗净备用;(2)制备硅基多孔硅:采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅抛光表面制备多孔硅,所用电解液由氢氟酸和去离子水组成,其体积比为1:5,施加的腐蚀电流密度为95~135mA/cm2,腐蚀时间为20~25min;(3)制备多孔硅氨敏传感器元件:将步骤(2)中制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室。采用金属铂作为靶材,以氩气作为工作气体,气体流量为20~25sccm,溅射工作压强为2~3Pa,溅射功率80~100W,溅射时间8~15min,在多孔硅表面沉积铂电极,制成氨敏传感器元件。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:胡明,李明达,曾鹏,马双云,闫文君,
申请(专利权)人:天津大学,
类型:发明
国别省市:
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