【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一种多轴真空电机组件本专利技术主张2005年2月12日申请的美国临时专利申请序列No.60/652,145的优先权,该临时专利申请通过全文引用而包含于此。
本专利技术一般地涉及半导体器件制造,更具体地,涉及用于晶片搬运装置的多轴电机组件。
技术介绍
在半导体器件(诸如集成电路(IC)、动态随机存储器(DRAM)等)制造中,从其制造半导体器件的大而薄的晶片(通常是硅)必须经常从一个处理室传输到另一个中。晶片的这种传输必须在无尘环境并且经常在亚大气压下进行。为此,已经设计了各种机械装置用于将晶片传输至一个设备中的处理室或从处理室中传输出,或从一个设备传输至另一设备。在一般实践中,将晶片装载到盒子中,使得多个晶片可以在无尘室环境下安全并有效率地从一个地方运载到另一个。装载有晶片的盒子然后可以插入到输入/输出(I/O)室(“装载锁定室”)中,可以在装载锁定室中建立期望的气压和环境。晶片从其各个盒子一个一个地供给到进入I/O室的各个盒子中或从离开I/O室的各个盒子中供给。从晶片搬运效率的角度而言,希望I/O室可以靠近多个处理室定位,以允许多于一个晶片能够在附近同时处理。为此,两个或更多个室设置于传输室周边的位置,其中传输室与I/O室和处理室两者之间气密封并与其连通。位于传输室内的是自动控制晶片搬运机构、或机械手,其取走从I/O室供应的晶片,然后将每个晶片传输到选择的处理室中。在一个室中处理后,晶片被机械手从室中取回,然后插入到另一个处理室中、或返回到I/O室并最终回到各个盒子中。-->半导体晶片本身特性较脆,并且容易碎裂或刮伤。因此,它们需要高度小心搬运,以免损坏 ...
【技术保护点】
一种多轴真空电机组件,包括:第一转子;第一定子,适于穿过真空阻挡件与所述第一转子磁耦合,以控制真空室内的机械手臂的第一轴的旋转;第二转子,位于所述第一转子下方;第二定子,位于所述第一定子下方,并适于穿过所述真空阻挡件与所述第二转子磁耦合,以控制所述真空室内的所述机械手臂的第二轴的旋转;第一反馈器件,位于所述真空阻挡件的大气侧,并适于经由穿过所述真空阻挡件的无源磁耦合装置监控所述机械手臂的所述第一轴的旋转;以及第二反馈器件,位于所述真空阻挡件的所述大气侧,并适于经由穿过所述真空阻挡件的无源磁耦合装置监控所述机械手臂的所述第二轴的旋转。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-2-12 60/652,1451.一种多轴真空电机组件,包括:第一转子;第一定子,适于穿过真空阻挡件与所述第一转子磁耦合,以控制真空室内的机械手臂的第一轴的旋转;第二转子,位于所述第一转子下方;第二定子,位于所述第一定子下方,并适于穿过所述真空阻挡件与所述第二转子磁耦合,以控制所述真空室内的所述机械手臂的第二轴的旋转;第一反馈器件,位于所述真空阻挡件的大气侧,并适于经由穿过所述真空阻挡件的无源磁耦合装置监控所述机械手臂的所述第一轴的旋转;以及第二反馈器件,位于所述真空阻挡件的所述大气侧,并适于经由穿过所述真空阻挡件的无源磁耦合装置监控所述机械手臂的所述第二轴的旋转。2.根据权利要求1所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第二定子位于所述真空阻挡件的所述大气侧。3.根据权利要求2所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第二定子竖直对齐。4.根据权利要求2所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第二定子直接安装到所述真空阻挡件。5.根据权利要求1所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子的整流穿过所述真空阻挡件控制所述第一转子的旋转。6.根据权利要求1所述的多轴真空电机组件,其中所述第二定子的整流穿过所述真空阻挡件控制所述第二转子的旋转。7.根据权利要求1所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第一转子位于同一水平面内。8.根据权利要求1所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子、所述第二定子、所述第一反馈器件和所述第二反馈器件布置成不延伸到所述真空室的底部的下方。9.一种多轴真空电机组件,包括:第一转子;第一定子,适于整流以穿过真空阻挡件旋转所述第一转子并控制真空室内的机械手臂的第一轴的旋转;第二转子,位于所述第一转子下方;第二定子,位于所述第一定子下方,并适于整流以穿过所述真空阻挡件旋转所述第二转子并控制所述真空室内的所述机械手臂的第二轴的旋转;第一反馈器件,适于监控所述机械手臂的所述第一轴的旋转;以及第二反馈器件,适于监控所述机械手臂的所述第二轴的旋转。10.根据权利要求9所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第二定子位于所述真空阻挡件的所述大气侧。11.根据权利要求9所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第二定子竖直对齐。12.根据权利要求9所述的多轴真空电机组件,其中所述第一定子和所述第二定子直接安装到所述真空阻挡件。13.根据权利要求9所述的多轴真空电机组件,其中所...
【专利技术属性】
技术研发人员:杰弗里C哈德更斯,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。