一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法技术

本发明专利技术属于化学合成领域，具体涉及到区域选择性反应，即全TMS保护基保护的环糊精的伯位即6位TMS保护基的选择性脱除方法。本发明专利技术是一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法，以全TMS保护的环糊精为底物，以有机溶剂为溶剂，在催化剂作用下及一定温度下，搅拌到原料消失，伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除，而其它位置上的三甲基硅基仍存在。本发明专利技术的乙酸、或甲酸或草酸是一种区域选择性高的三甲基硅基保护基的脱除剂，只脱除6位三甲基硅基保护基，其他位置不受影响；反应条件温和，后处理简单，而且其他保护基如TMS，乙酰基、甲基、乙基、苯基、苄基、烯丙基均不受影响。该方法具有区域选择性高、操作简单、条件温和、产率高、催化剂易得廉价等特点。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种选择性脱除全三甲基硅基保护环糊精的6位三甲基硅基的方法，其特征在于，以全TMS保护的环糊精为底物，以有机溶剂为溶剂，在催化剂作用下及一定温度下，搅拌到原料消失，伯位即6位的三甲基硅基可完全选择性去除，而其它位置上的三甲基硅基仍存在。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔艳丽，许姗姗，毛建卫，蔡春锋，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：