铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法技术

本发明专利技术提出了铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法。其中，铌酸钾钠基无铅压电陶瓷由下列通式所示的化学组成(ABO3)1-x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。该铌酸钾钠基无铅压电陶瓷具有较高的压电性能，其压电常数d33可以达到280～360pC/N，且其反向压电系数d33*在室温至175摄氏度的温度范围内的波动不超过10%。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，其具有下列通式所示的化学组成(ABO3)1?x（CaZrO3）x（MnO2）y，其中，A为选自Na、K和Li的至少之一，B为选自Nb和Ta的至少之一，x表示CaZrO3占所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的原子百分比，y为MnO2占所述铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的质量百分比，并且0.03≤x≤0.07，0≤y≤0.04。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王轲，姚方周，李敬锋，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：