一种有多个规格等级可以选择的记忆体制造技术

本实用新型专利技术涉及一种有多个规格等级可以选择的记忆体，包括若干存储比特单元相对应的控制单元，存储比特的位线WL控制单元和一个控制不同规格等级记忆体的选择器单元。控制不同规格等级记忆体的选择器单元输出选择器的信号来选不同规格等级记忆体。存储比特的位线WL控制单元接到同规格等级记忆体的选择器单元输出选择器的信号来控制不同规格等级时所需的位线WL；可以一次控制相对应的一条WL位线，或同时控制相对应的多条WL位线来达到不同规格等级记忆体的选择。本实用新型专利技术结构紧凑，减少产品到市场的时间，能降低芯片的使用成本，适用范围广。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种记忆体及其制备方法，利用备份原理，在同一芯片中复制记忆体细胞，从而大大提升芯片的可靠性，降低文件损坏风险。此专利技术属于集成电路的

技术介绍
在电子工业界，针对军用、商用和民用的产品规格的不同要求显著不同。军用仪器一般在极端环境下长时间作业，对产品的可靠性要求极高。而民用产品如手机、电脑等更新换代极快，因此对其电子元件的特性，如可擦写次数，错误率，使用寿命等，要求相对较低。针对不同的规格要求，记忆体生产商往往需要设计、筹划相对应的生产程序和生产线，从而导致成本飙升。本专利技术的目的在于设计一款能同时应用在军用、商用和民用的记忆体，提升现有设计重复使用率，降低产品成本。在芯片业界，通常的规格是:1.民用电子产品:规格要求比较低，在(Γ55摄氏度的工作环境下需达到5 10年的产品寿命。对容量要求高，用于储存大型系统软件，多媒体文件等等。2.工业用电子产品:规格要求就高很多，在-4(Γ125摄氏度的工作环境下需达到10 20年的产品寿命。3.军工产品和汽车工业电子产品:规格要求近乎严苛，在-55 175摄氏度的工作环境下需达到20年以上的产品寿命。每种规格都有自己相应的制备过程。本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，降低芯片成本，并且安全可靠。一块芯片的成本包含:1)芯片产品的设计费用，2)光罩的费用(一次性的)。3)硅片的费用。4)。营运成本。同一种产品，如2GB的记忆体芯片，在面对不同的军用和民用客户时，由于制备步骤不同，芯片都会被要求重新设计。因此，尽管记忆容量一样，但记忆体生产商仍需要使用不同的设计图纸和生产线，重复以上的所有四个步骤。其结果就是，产品从重新设计到交货的时间延长，同时造成效率低下，资源浪费。应用了本专利技术之后，以同样规格制造的2GB芯片可同时出售给民用或军用客户。本专利技术的另一大作用是为新研发芯片提供可靠的测试平台。芯片制备工艺日新月异，在产品试样品中使用本专利技术可以确保芯片在不成熟的工艺中运行，设计团队可以做冗余线路的调试，而不必等工艺团队调试完成才开始做。双管齐下，这样也缩短了产品从开始设计到成品销售所需的时间。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种降低芯片成本和减少产品到市场的时间的非挥发性记忆体及其制备方法，其结构紧凑，降低芯片成本，安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案，所述一种有多个规格等级可以选择的记忆体，其特征在于:包括与若干存储比特单元相对应的控制单元，存储比特的位线WL控制单元和一个控制不同规格等级记忆体的选择器单元，所述存储比特单元包括控制极端、源极端及漏极端；若干存储比特单元规则排布形成行存储群组及列存储群组，行存储群组内每行存储比特单元的控制极端相互连接后与对应的WL位线端相连接，行存储群组与列存储群组内快闪存储比特单元的源极端相互连接后均与SL位线端相连接，列存储群组内每列存储比特单元的漏极端相互连接后与对应的BL位线端相连接，列存储群组内对应的BL位线端通过多路选择器与检测放大器相连，放大并转换成数字信号输出。所述一个控制不同规格等级记忆体的选择器单元是一种激光熔丝。所述一个控制不同规格等级的记忆体选择器单元是一种小容量的非挥发性嵌入式记忆体。所述的一种有多个规格等级可以选择的记忆体，其特征在于:包括与若干存储比特单元相对应的控制单元，存储比特的位线WL控制单元和一个控制不同规格等级记忆体的选择器单元组成，控制不同规格等级记忆体的选择器单元输出选择器的信号来选不同规格等级记忆体，存储比特的位线WL控制单元接到控制不同规格等级记忆体的选择器单元输出选择器的信号来控制不同规格等级时所需的位线WL;可以一次控制相对应的一条WL位线，或同时控制相对应的多条WL位线来达到不同规格等级记忆体的选择。所述存储比特单元是快闪存储。本专利技术的优点:包括与若干存储比特单元相对应的控制单元,存储比特的位线WL控制单元和一个控制不同规格等级记忆体的选择器单元。控制不同规格等级记忆体的选择器单元输出选择器的信号来选不同规格等级记忆体。存储比特的位线WL控制单元接到同规格等级记忆体的选择器单元输出选择器的信号来控制不同规格等级时所需的位线WL ；可以一次控制相对应的一条WL位线，或同时控制对应的二条WL位线，或同时控制相对应的多条WL位线来达到不同规格等级记忆体的选择。这样一个不同规格等级记忆体可以同时用在不同规格等级的系统上。这样记忆体的使用成本降底和减少产品到市场的时间，适用范围广。附图说明图1为本专利技术的有多个规格等级可以选择的记忆体的结构示意图。图2为本专利技术的行存储群组与列存储群若干存储比特单元示意图。图3为本专利技术的多路转换器(MUX)。图4为本专利技术的多路转换器(MUX)的逻辑简图。图5为本专利技术的MUX和一块具体的32x32记忆模块组合到一起，形成一个逻辑模块。附图标记说明:200- —种有多个规格等级可以选择的记忆体、201- —个控制不同规格等级记忆体的选择器单元、202-相对应的控制单元、203-若干存储比特单元、202a- —个多路转换器(MUX)、202b-多路转换器(MUX)的逻辑简图。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。对于记忆体的产品，用一个记忆体的单个比特做出来的产品，通长规格一条位线(word-line)通常控制一个比特的活动，如图(I)所示。一般来讲一个数字控制信号只可以控制‘开’或‘关’两种情形。本专利技术的最基本原理是发出一个控制信号，灵活地根据客户要求，随时可调控一条或多条位线word-line。这个控制信号以多路转换器(MUX)实现。这就是一个控制信号的延伸。这里举个实例，以控制一条word line和控制二条word line来解释。假设控制信号是O的时候，芯片里每个时钟段只能有一条word line被打开或控制，那时每个记忆细胞中只有一个单位比特在工作。当控制信号是I的时候，同时有二条word line被打开或控制,等于每个记忆细胞有二个单位比特在工作。这样二个单位比特作同样事情，就有了百分之一百的冗余(redundancy)的效果。就算其中一个比特坏掉了，但因还有一个比特正常工作，存储的内容并未遭到破坏。这便大大提高了芯片的可靠性(reliability)。当每个记忆细胞只有一个工作单位比特时，只能负四十摄氏度到八十五摄氏度之间运行，方能保证记忆块出错率低于千分之一。当工作环境变成商用(负四十摄氏度到一百二十五摄氏度)，或是军工和汽车工(负四十摄氏度到一百五十摄氏度)时，芯片的出错率便大大提升，几乎达到百分之五，使大量文件损坏而无法被读出。在这种情况下，本专利技术使用用两个单位比特做相同应用，就有了百分之一百的冗余(redundancy)。虽然芯片单个逻辑门出错率依旧，但同一记忆细胞中所有比特(两个或以上)同时全部出错的机率仍远低于千分之一，因此能在更严酷的环境下达到相同的可靠度。虽然本在同样面积的芯片中，本专利技术使得存储的容量减半，但典型商用或军用产品多注重可靠程度，对记忆块容量的要求则相对较低。本专利技术可以在民用生产线上生产出同时符合容量和可靠度的军用产品。另一面，利用本专利技术后，设计一个产品可同时进入两个或多个不同要求的市场，可以同时进入民用市场，工业市场，或军用市场等。并大大减低设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有多个规格等级可以选择的记忆体，其特征是：包括与若干存储比特单元相对应的控制单元，存储比特的位线WL控制单元和一个控制不同规格等级记忆体的选择器单元，所述存储比特单元包括控制极端、源极端及漏极端；若干存储比特单元规则排布形成行存储群组及列存储群组，行存储群组内每行存储比特单元的控制极端相互连接后与对应的WL位线端相连接，行存储群组与列存储群组内快闪存储比特单元的源极端相互连接后均与SL位线端相连接，列存储群组内每列存储比特单元的漏极端相互连接后与对应的BL位线端相连接，列存储群组内对应的BL位线端通过多路选择器与检测放大器相连，放大并转换成数字信号输出。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：无锡来燕微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：