用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统和方法技术方案

技术编号:9088252 阅读:209 留言:0更新日期:2013-08-29 00:54
本发明专利技术公开一种用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统及方法,该系统包括:等离子体枪,内部充有中性气体,用以产生及发射等离子体束;高压脉冲电源,用以向所述等离子体枪供电;全等离子体通道,与所述等离子体枪的出口相对,用以运输从所述等离子体枪中发射出的等离子体束,并将所述等离子体束注入磁阱线圈;磁阱线圈,与所述全等离子体通道的出口相对设置,用以产生环形磁场位形。其中,所述环形磁场位形的四周环形区域为障壁磁场,中心区域则为具有零磁场区的弱磁场区。所述全等离子体通道中还设有溜槽线圈,所述溜槽线圈产生的磁场方向与障壁磁场的方向相反,从而使得等离子体可轻易进入弱磁场区,然后被稳定约束在弱磁场区域。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用具零磁场区的磁场位形约束高温等离子体的系统,其特征在于,包括:等离子体枪,内部充有中性气体,用以产生及发射等离子体束;高压脉冲电源,与所述等离子体枪相连,用以向所述等离子体枪供电;全等离子体通道,与所述等离子体枪的出口相对,用以运输从所述等离子体枪中发射出的等离子体束,并将所述等离子体束注入磁阱线圈;磁阱线圈,与所述全等离子体通道的出口相对设置,用于产生环形磁场位形,以稳定约束所述等离子体束,其中,所述环形磁场位形的四周环形区域为障壁磁场,中心区域则为具有零磁场区的弱磁场区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:佟为明金显吉李中伟赵志衡黄桂香林景波刘勇
申请(专利权)人:哈尔滨工业大学
类型:发明
国别省市:

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