【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于氮化镓基材料的自停止刻蚀方法，其步骤包括：1）在氮化镓基材料表面淀积保护层：2）在所述保护层上涂敷光刻胶，并光刻待做刻蚀区域图形；3）去除待做刻蚀区域的保护层；4）去除剩余光刻胶；5）对氮化镓基材料在高温条件下进行氧化处理；6）将氧化处理后的氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；7）将非刻蚀区域的保护层置于腐蚀性溶液中去除。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐哲，王金延，刘洋，蔡金宝，刘靖骞，王茂俊，谢冰，吴文刚，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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