一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法技术

本发明专利技术公开了一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法，它包含以下步骤：（1）利用喷砂机对钼坩埚进行喷砂处理，去除钼坩埚表面的涂层；（2）处理后，将钼坩埚清洗烘干；（3）对钼坩埚进行熔射；（4）熔射后进行打磨，；（5）晶体生长完成后，利用热涨冷缩原理，加热后取出晶体，重复以上步骤。本发明专利技术的有益效果是：使用钨合金及碳熔射技术在钼坩埚表面形成保护层，在坩埚使用后通过喷砂将涂层去除，然后再次进行喷涂涂层继续使用，同时采用钨钼合金或碳材料进行喷涂实现了钼坩埚能重复多次使用的目的，减少了生产成本，同时杜绝了蓝宝石的污染问题，提高了晶体的成品率。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法，其特征在于：它包含以下步骤：（1）、利用喷砂机对钼坩埚进行喷砂处理，去除钼坩埚表面的涂层；（2）、处理后，将钼坩埚清洗烘干；（3）、对钼坩埚进行熔射，使用喷枪设备以金属钨粉、钨丝、含量35%钨的钨钼合金丝或碳粉为喷涂材料对钼坩埚进行喷涂，直至钼坩埚表面形成一层厚度为0.1?1mm的涂层；（4）、熔射后进行打磨，使钼坩埚表面粗糙度达到3.2；（5）、晶体生长完成后，利用热涨冷缩原理，加热后取出晶体，重复以上步骤。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：季泳，张龚磊，
申请(专利权)人：贵阳嘉瑜光电科技咨询中心，
类型：发明
国别省市：