一种光纤用石英外包管制造技术

一种光纤用石英外包管，设有采用SiO2含量为99.9999%的高纯石英砂熔融拉制成型的高硼硅厚壁管体，在高硼硅厚壁管体内设有光纤内孔，两端截面平齐，光纤内孔直径为0.125~0.127mm。高硼硅厚壁管体的外径偏差±0.05mm，厚度偏差±0.02mm，并通过脱羟处理后，羟值≤1ppm。本实用新型专利技术利用我国丰富的天然水晶原料，实现光纤外包管的国产化，生产的优质高纯的光纤用石英外包管，完全达到国际同类产品的质量标准。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种石英管，特别是一种光纤用石英外包管。
技术介绍
光导纤维是一种依靠光在介质中全反射原理而达成光传导工具，随着我国通信事业的大力发展，我国光导纤维需求量仅次于美国，今后将成为世界上光纤行业最大的市场。光纤是由预先制备的预制棒用各种方法拉制再包覆各种高分子材料而成，制造预制棒是光纤生产中的关键技术。现有技术中，我国光纤预制棒大部分为进口，受到国外企业的制约和限制，而国内生产企业生产的产品均达不到国际同类产品的质量标准。而国内生产的石英外包管在拉制过程中会产生气泡、气线等缺陷，严重影响预制棒在光纤拉制过程中的成品率。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种优质高纯的光纤用石英外包管。本技术要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的，一种光纤用石英外包管，其特点是:设有采用SiO2含量为99.9999%的高纯石英砂熔融拉制成型的高硼硅厚壁管体，两端截面平齐，在高硼硅厚壁管体内设有光纤内孔，光纤内孔直径为0.125、.127mm。本技术要解决的技术问题还可以通过以下技术方案来进一步实现，高硼硅厚壁管体的外径偏差±0.05mm,厚度偏差±0.02mm,并通过脱轻处理后,轻值< lppm。本技术与现有技术相比，采用SiO2含量为99.9999%的石英砂熔融拉制成型，确保光纤内孔直径为0.125、.127mm。本技术利用我国丰富的天然水晶原料，实现光纤外包管的国产化，生产的优质高纯的光纤用石英外包管，完全达到国际同类产品的质量标准。附图说明图1为本技术的结构简图。具体实施方式一种光纤用石英外包管，设有采用SiO2含量为99.9999%的高纯石英砂熔融拉制成型的高硼硅厚壁管体1，在高硼硅厚壁管体I内设有光纤内孔2，光纤内孔2直径为0.125^0.127mm。高硼硅厚壁管体的外径偏差±0.05mm，厚度偏差±0.02mm，切割要求无划痕，两端截面平齐，公差广3 mm，对石英外包管进行清洗，用采用电导率低于0.2 X 10_6 S/cm、PH值为6.8^7的去离子水进行清洗，在400°C的条件下烘干30分钟，然后采用真空脱羟，温度为1200°C,时间3小时,再恒温 2小时,轻值< lppm。最后检测、包装、入库。权利要求1.一种光纤用石英外包管，其特征在于:设有采用SiO2含量为99.9999%的高纯石英砂熔融拉制成型的高硼硅厚壁管体，两端截面平齐，在高硼硅厚壁管体内设有光纤内孔，光纤内孔直径为0.125^0.127mm。2.根据权利要求1所述的光纤用石英外包管，其特征在于:高硼硅厚壁管体的外径偏差 ±0.05 mm,厚度偏差 ±0.02mm。专利摘要一种光纤用石英外包管，设有采用SiO2含量为99.9999%的高纯石英砂熔融拉制成型的高硼硅厚壁管体，在高硼硅厚壁管体内设有光纤内孔，两端截面平齐，光纤内孔直径为0.125~0.127mm。高硼硅厚壁管体的外径偏差±0.05mm，厚度偏差±0.02mm，并通过脱羟处理后，羟值≤1ppm。本技术利用我国丰富的天然水晶原料，实现光纤外包管的国产化，生产的优质高纯的光纤用石英外包管，完全达到国际同类产品的质量标准。文档编号C03B37/012GK203144285SQ20132013056公开日2013年8月21日 申请日期2013年3月21日 优先权日2013年3月21日专利技术者徐传龙 申请人:连云港市弘扬石英制品有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光纤用石英外包管，其特征在于：设有采用SiO2含量为99.9999%的高纯石英砂熔融拉制成型的高硼硅厚壁管体，两端截面平齐，在高硼硅厚壁管体内设有光纤内孔，光纤内孔直径为0.125~0.127mm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐传龙，
申请(专利权)人：连云港市弘扬石英制品有限公司，
类型：实用新型
国别省市：