【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种发光二极管，包含：外延基板；n型半导体，位于所述外延基板表面之上；发光层，位于所述n型半导体表面之上；p型半导体，位于所述发光层表面之上；?p型电极，位于所述p型半导体表面之上；n型电极，位于局部裸露的n型半导体表面之上，并与所述p型电极同侧；所述n型半导体的上表面定义为第一表面，所述n型电极的上表面定义为第二表面，第一表面不低于所述第二表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏德玲，赵志伟，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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