一种微构造硅雪崩二极管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微构造硅雪崩二极管的制备方法，含以下步骤：（1）在单晶硅衬底上通过激光刻蚀掺杂硫元素，得到微构造硅；（2）在微构造硅表面涂覆一层SiO2保护层；（3）在单晶硅衬底上部和下部分别引出阳极引线和阴极引线，制成微构造硅雪崩二极管。该方法制成的微构造硅雪崩二极管能制成盖革模式（G-APD）雪崩二极管阵列探测器件，该器件具有较高的响应度，单光子探测灵敏度和皮秒级时间分辨率突出，光谱响应范围可以拓展到中红外波段。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种微构造硅雪崩二极管的制备方法，其特征是含以下步骤：（1）在单晶硅衬底上通过激光刻蚀掺杂硫元素，得到微构造硅；（2）在微构造硅表面涂覆一层SiO2保护层；（3）在单晶硅衬底上部和下部分别引出阳极引线和阴极引线，制成微构造硅雪崩二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈长水，韩田，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：