【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：栅极；半导体层；绝缘层，配置于该栅极与该半导体层之间；源极，连接至该半导体层；漏极，连接至该半导体层，其中该源极与该漏极彼此分离配置；以及电流抑制层，具有第一部分与第二部分，其中该第一部分配置于该半导体层与至少部分该源极之间，且该第二部分配置于该半导体层与至少部分该漏极之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：王裕霖，叶佳俊，蔡学宏，辛哲宏，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。